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场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电子器件，其工作原理是通过控制电场来影响电流的流动。在FET中，VGS是源极到栅极的电压，而VGSTH则是开启电压或阈值电压。关于场效应管VGS电压与VGS-VGSTH的关系，我们可以从以下几个方面进行解释。
1、VGS电压与场效应管的开关状态：场效应管是电压控制器件，其源极到栅极的电压（VGS）决定了管的开关状态，当VGS超过一定的阈值（VGSTH）时，场效应管会由截止区进入饱和区，开始导电，VGS电压越高，管的导通性越好。
2、VGS-VGSTH等于什么：VGS-VGSTH表示的是源极到栅极的电压与开启电压或阈值电压的差值，这个差值决定了场效应管的导通程度，当VGS大于VGSTH时，场效应管开始导通；差值越大，导通程度越好，反之，如果VGS小于或等于VGSTH，场效应管处于截止状态。
场效应管的VGS电压与VGS-VGSTH的关系密切，前者是控制后者大小的关键因素，在实际应用中，需要根据电路需求和场效应管的特性选择合适的VGS电压，以实现电路的正常工作，了解场效应管的工作原理和特性对于正确使用和维护电子设备具有重要意义。